Page 17 - 第4部応用事例編ver60_Neat

ＩＣカードアンテナ周辺回路構成 060306 C1
Recive
不要輻射について (ｱﾝﾃﾅ出力側へのLPF挿入） 2 2
1
・LPFのダンピング抵抗変更 820p C6 L7
LPFのダンピング抵抗を１Ωにした場合の特性をF図に示 L2
す。 0.7uH V R9 1 0 V 180p 0.82uH
周波数特性、位相特性で１３．５６MHｚに共振するポイントと 10000MEG C8 R8
LPFの共振点の変化が確認できる。13.56MHzの共振で電圧を 2 L3 1 R11
拡大し27MHzの共振でそれを減衰させるわけである 0 0.5uH 100 210p
・高調波 02
高調波をG図に示す。 1
１００Ωの時に比較して、第②高調波部分では減少している 50
が第③高調波は増加している。これはF図の周波数特性に表
れているがLPFの特性が２７MHｚ付近でminになった後跳ね返 V1 2 L8
りで高くなる部分に現れている。これはダンピング抵抗を調整 C3 70p 0.82uH
して第②高調波の減衰割合と第③高調波の跳ね返り増加の DC = 0 2 C7
バランスをとって妥協しなければならないことを示す。 AC = 1 180p
12
1

R10 C2 820p P ARA M E T E RS :
TRAN = pulse(0,10v ,0,1n,1n,37n,74n)
0
10000MEG

0

LPF（２７MHz) 挿入 R11=1 F図 高調波 G図
4.0V C8両端電圧 12V

周波数特性 27MHz 13.56MHz
13.56MHz
8V
2.0V

SEL>> 第②
0V 4V 148mV
V(C8:1) - V(C8:2)
C8電流位相 第③
180d 371mV
位相特性 SEL>>
0V V(C8:1) - V(C8:2)
0d 高調波部分拡大
762mV

-190d IP(C8) 600mV 第2高調波
4.0V 400mV 148

第3高調波 371mv

2.0V

0V 200mV
100MHz SEL>>
100KHz 1.0MHz
V(C8:1) - V(C8:2)
V(L2:1) V(C6:2)

Frequency