Page 16 - 第4部応用事例編ver60_Neat

ＩＣカードアンテナ周辺回路構成 060306 C1 ・LPFを挿入した状態 060306 C1 LPF（直列共振） 2
Recive
不要輻射について (ｱﾝﾃﾅ出力側へのLPF挿入）１ 820p Recive
1
・シミュレーション回路 1 21
送信出力は、ｱﾝﾃﾅ用出力トランスに、バランによる平衡 L3
⇔不平衡変換回路とインピーダンス整合回路を接続して 0.1uH C6 L7 820p C6 L7
ネットワークアナライザにて出力レベルを測定しているの
でそれに近いシミュレーション回路を右図に示す。 L2 V R9 0 V 180p 0.82uH L2 V R9 1 0 V 180p 0.82uH
0.7uH 10000MEG C8 R8 0.7uH 10000MEG C8 R8
1 L3 1 R11 210p
2 0 R11 320p 2 0 0.5uH 100
10 02
1 02 1
2 50 50
C3 347p
V1 L8 V1 2 L8
0.82uH C3 70p 0.82uH
・LPFを挿入しない状態 DC = 0 2 C7 DC = 0 2 C7
バランを接続した状態では、共振が13.56MHｚからず AC = 1 1 180p AC = 1 180p
れているので整合調整コンデンサの値を無理に増加 0 12
してイニシャライズ調整を行った波形をB図に示す。周
波数がずれている理由は良く分からない。共振点で 12
は電流の位相がゼロになってL成分とC成分が打ち消
しあっていることが確認できる。 P ARAM ET ERS: 1
・高調波
第③高調波部分をC図に示す。第②高調波は確認 R10 C2 820p R10 C2 820p PARA M ET E RS:
できないが253mVの増幅をされているのが確認でき TRAN = pulse(0,10v ,0,1n,1n,37n,74n) TRAN = pulse(0,10v ,0,1n,1n,37n,74n)
る。 A図 0
10000MEG 10000MEG

0 0

・第②高調波の周波数に共振する直列共振回路（共振時にｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽmin)を並列に挿入して出力を押さえ込む。
LCによるLPFは、直列共振回路のことである。共振の選択性を可変してみる為にダンピング抵抗R11 100Ωを入れる。
この回路の影響で系の共振周波数が落ちるので、C8を調整して１３．５６MHｚに共振するよう調整するとC=２１０ｐFが得られ
たので変更したあとの周波数特性をD図に示す。
・高調波 高調波をE図に示す。高調波が低下しているが基本波も低下している。基本波に対する高調波の割合はほぼ同じ
なのでLPFの効果は現れていない。高調波の拡大した波形をその下に示す。

B図 高調波 C図 LPF（２７MHz) 挿入 R11=100 D図 高調波 13.56MHz E図
C8両端電圧 12V 2.0V 周波数特性 8.0V
4.0V 周波数特性 13.56MHz C8両端電圧の
高調波成分 C8両端電圧
13.56MHz

13.56MHz

2.0V 8V 1.0V

4.0V

SEL>> 第② SEL>> 第②
0V 4V 253mV 0V 196mV
V(C8:1) - V(C8:2)
180d V(C8:1) - V(C8:2) C8電流位相 第③
位相特性 336mV 180d
位相特性 C8電流位相 第③
266mV
0d EL>> 0d SEL>>
0V 0V V(C8:1) - V(C8:2)
V(C8:1) - V(C8:2)
高調波部分拡大

高調波部分拡大

794mV

-190d IP(C8) 600mV 第2高調波 -190d IP(C8) 600mV 第2高調波
4.0V 400mV 253 2.0V 196

第3高調波 336mv

400mV 第3高調波 266mv

2.0V 1.0V

200mV 200mV

0V SEL>> 0V SEL>>
100KHz 1.0MHz 0V 0V
100MHz V(C8:1) - V(C8:2) 100KHz 1.0MHz 100MHz V(C8:1) - V(C8:2)
V(L2:1) V(C6:2) 10.0V
Frequency V(L2:1) V(C6:2)

Frequency